获取优惠价格

Tel:19337881562

产品列表

新闻中心

碳化硅处理

什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow

2023年6月22日碳化硅是怎么制成的？最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。2 天之前碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。. 将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。. 切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术 ...

碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 - ROHM技术社区

2024年5月6日通过细化晶粒、优化烧结工艺、引入杂质元素、复合材料增强、表面处理、热处理以及控制微观结构等策略，可以有效提升多晶碳化硅的综合性能。超越障碍：多 2024年4月18日碳化硅SiC的生产工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。每一步都需要精确控浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 - 百家号

第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景

2020年9月21日使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功 2022年5月20日常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate

碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

2020年6月10日碳化硅(SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊(Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加 3 天之前为通过使用碳化硅MOSFET实现最大的系统效益，建议用英飞凌的EiceDRIVER™栅极驱动IC来补充英飞凌的CoolSiC™MOSFET，以充分利用碳化硅技术的优势。提高效率、节省空间并减轻重量、减少零件数量和碳化硅SiC器件-英飞凌(Infineon)官网 - Infineon

国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先

2022年4月24日本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。碳化硅炉气的排放和回收利用概况-以碳化硅粒度砂为主要原料的砂轮砂布广泛应用于不锈钢、陶瓷及石材加工等方面的抛光磨具。绿碳化硅即使在高温下也具有高强度，其弹性模在 1600℃时才开始衰减，在 2815℃时才开始分解，但在常压下不熔化，绿碳化硅适用于做超级耐火材料，广泛应用于研磨 ...碳化硅炉气的排放和回收利用概况_百度文库

碳化硅晶片表面清洗方法 - 百度学术

本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法,该方法包括以下步骤:高温处理:通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层;酸化处理:将经过高温处理后的所述碳化硅晶片进行酸化处理,以去除所述碳化硅晶片表面的氧化层;钝化处理:将经过 ...2011年12月20日本发明的目的是提供一种处理效率高，运行费用低，微粉回收率高的碳化硅工业废水处理方法，它可使该行业废水排放达到《污水综合排放标准》GB8978-1996中的一级标准。. 本发明技术方案是：一种碳化硅工业废水的处理方法，包括反应、分离、厌氧和碳化硅工业废水的处理方法 - Dowater

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...

2023年9月27日切片：将碳化硅单晶锭沿着一定的方向切割成薄片。由于碳化硅的高硬度和脆性，切割过程需要使用特殊的工具，如钻石线或多线切割机。切割过程会造成晶片表面的刀痕和损伤层，需要后续的研磨和抛光处理。研磨：去除切割造成的表面缺陷和控制晶片厚度。2016年5月6日铸铁用碳化硅使用的增效材料是光伏产业中的经过适当处理的“多晶硅”下脚料。针对灰铸铁、球墨铸铁的不同生产工况要求，铸铁用碳化硅，常常使用不同的铸造行业常用的粘结剂淀粉、糊精、水玻璃、硅酸盐水泥熟料、建筑硅酸盐水泥等形成不同的形状——压国际铸业技术专家刘连琪谈“铸铁用碳化硅及其使用要点”_技术 ...

碳化硅电子行业废水处理工程实例_百度文库

2020年4月11日碳化硅电子行业废水处理工程实例. 李朋，田宇鸣，马兴峰，周伟，汤付军，曹向前（江苏中电创新环境科技有限公司，江苏无锡212000）. 摘要:随着我国半导体行业的快速发展，碳化硅电子行业企业也日趋增加,电子行业废水种类也越来越多，现阶段应加快 2014年3月26日碳化硅生产过程中产生的问题：. ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见 ...

碳化硅 - 意法半导体STMicroelectronics

SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来. 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了第一款碳化硅二极管。. SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。. 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。. 意法半导体积极进行产能 ...通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射方法,研究反应烧结碳化硅材料的中各相组织及成分随热处理温度的变化规律。结果表明,晶间粒状次生β相SiC首先以溶解-析出形式发生再结晶,而后沉积在α相碳化硅上,通过-αSiC相基面的不断长大,完成β相向α相的转变。硅/碳化硅高温热处理中组织及相组分变化 - 百度学术

一种碳化硅晶体高温退火处理方法[发明专利]_百度文库

2014年12月7日技术领域 [0001] 本发明涉及碳化硅晶体的制备，具体涉及一种碳化硅晶体高温退火处理方法。背景技术 [0002] 以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料，是继以硅和砷化镓为代表的第一代、第二代半导体材料之后迅速发展起来的新型半导体材料。2022年12月1日碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。. 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。. 离子注入是一种向半导体材料内部加入特一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区

碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 - KYOCERA

碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 ℃的温度下，碳化硅仍能保持其强度。碳化硅相关产品特点结构性能特点在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强 2021年2月25日碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？. [导读] 通过表面改性，可以改善SiC粉体的分散性、流动性、消除团聚、提高碳化硅超细粉体成型性能以及制品最终性能。. 中国粉体网讯碳化硅是一种人工合成的强共价键型碳化物，是一种新型的工程陶瓷材料。. 碳碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？-要闻-资讯-中国粉体网

碳化硅晶片的高温退火处理 - 道客巴巴

2014年11月7日碳化硅晶片的高温退火处理. 下载积分： 2000. 内容提示：作者姓名：指导教师：学位类别：学科专业：培养单位：密级： ——中国科学院大学U n iv e r sityo fC h in e seA c a d e m yo fS c ie n c e s硕士学位论文施筮置班嚣园簋土生国垂瞠暄上注蕉显盐班盎匿挝牲王翟亟± ...2023年7月24日本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及低损伤碳化硅界面的处理方法，包括清洗，去除碳化硅晶圆表面的浆液层；利用第一刻蚀气体刻蚀C原子层，第一刻蚀气体包括Ar和O. Claims Translate. 1.一种低损伤碳化硅界面的处理方法，其特征在于，包括：. 清低损伤碳化硅界面的处理方法-CN116631850B PatentGuru

碳化硅SiC器件-英飞凌(Infineon)官网 - Infineon Technologies

3 天之前我们不断在现有硅器件基础上进行碳化硅产品（包括沟槽技术领域革命性的CoolSiC™ MOSFET）的扩展。. 如今，英飞凌可提供业界最全面的功率产品组合，从超低压到高压功率器件等不一而足。. 我们不仅要确保提供最适合的解决方案，还要进一步优化基于 2016年12月15日经不熔化处理、高温烧成制备了拉伸强度为 2.1GPa，模量超 300GPa 的碳化硅短纤维。 PCS 不熔化纤维在高温烧成时会出现显著收缩，收缩率达 23% ，因此既要保持纤维的连续性，又要防止因急剧收缩（造成纤维内部缺陷）导致纤维力学性能降低，是制备连续 SiC 纤维的重要部分。复合材料的筋骨：连续碳化硅纤维 - 中国科学院宁波材料技术 ...

铸铁件性能差异原因在哪？碳化硅是如何提升铸件质量的 ...

2022年1月5日用碳化硅预处理的铁液，如果保持铸件残留镁量大致相同，球化剂的加入量可以减少10%，球墨铸铁的白口倾向得到缓解。 [2] 碳化硅在熔炼炉内，除去（1）式反应所示在铁液中增碳、增硅以外，还进行式（2）、（3）的脱氧反应，如果加入的SiC靠近炉壁，生成的SiO2会在炉壁沉积增加炉壁厚度。Explore the freedom of writing and expressing yourself on Zhihu's column platform, where ideas come to life.知乎专栏 - 随心写作，自由表达 - 知乎

什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow

2023年6月22日最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。. 颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。. 加热后，这些晶体在较低的温度下沉积在石墨上，这一过 2 天之前碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。在碳化硅器件成本中，衬底占比47%左右，是价值量最高的原材料。顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术 ...

关于碳化硅冶炼尾气处理技术的探讨 - 百度文库

关于碳化硅冶炼尾气处理技术的探讨-1.2方案的比较上述两大类三种常用方案，分别具有各自的特点：1 ）尾气点燃后进行收集和处理的方案，只需要对碳化硅冶炼车间进行适当改造，不会影响原有的炉型、车间工艺布局和生产规模，改造成本和后期维护的 ...2024年2月4日碳化硅晶片的化学机械抛光技术（CMP）是一种先进的表面处理技术，结合化学腐蚀和机械研磨的方法，通过选择合适的化学腐蚀剂、研磨剂、控制抛光参数和采用精密抛光设备，实现对碳化硅晶片表面的精细处理，达到超光滑、无缺陷及无损伤表面的效果。SiC的化学机械抛光技术：实现超光滑表面的秘诀 - ROHM ...

一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理 ...

2020年5月25日一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，它属于碳化硅晶片制备技术领域。本发明将SiC分散液旋涂于石墨坩埚内壁及坩埚内盖，将旋涂后的石墨坩埚放置于烧结炉中抽真空，随后充入氩气进行保护，温度升至1800～1900℃，保温2～3h；在无尘状态下将待处理的SiC晶片表面旋涂 ...2023年8月7日碳化硅铝基复合材料(Aluminum Matrix Composites, AMCs)具有弹性模量高、尺寸稳定性高等优点被多领域广泛地应用。. 碳化硅(SiC) 作为增强体有着不同的形态,主要有碳化硅颗粒(SiCp) 、碳化硅晶须(SiCw)以及碳纳米管(CNT) 。. 近年来,SiC作为强化相增强铝基复合材料成为了新 ...碳化硅增强铝基复合材料研究进展

一种碳化硅外延旧载盘的再生处理方法专利检索-在反应室中 ...

2023年10月10日权利要求. 1.一种碳化硅外延旧载盘的再生处理方法，其特征在于，包括以下步骤：. S1、在碳化硅外延旧载盘中放入挡片；. S2、将放入挡片的载盘放入反应室中进行烘烤；. S3、烘烤结束后，关闭N2源，通入H2和C/Si 原子比＞1的Si源和C源，在载盘上 2022年5月17日碳化硅酸洗废水处理工艺采用单膜电渗析+沉淀+ 过滤的工艺流程，采用单膜电渗析设备作为碳化硅酸洗废水资源化处理工艺的核心技术设备。其工艺流程包括如下工艺步骤： (a)将碳化硅微粉生产中所产生的含有Fe2+、Fe3+铁离子的硫酸酸洗废水注入 ...碳化硅酸洗废水处理工艺

碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate

2022年5月20日徐天兵, 宋志键, 陈颖鑫, 孙亚光. 碳化硅的制备及应用最新研究进展[J]. ... Yang Y 等[4]采用空气中燃烧合成方法，并进行机械活化处理，成功地制备了 ...2024年4月2日陶瓷基板因其优异的热导性、电绝缘性、机械强度和化学稳定性，成为功率半导体封装的理想材料。. 特别在碳化硅模组封装方面，AMB技术凭借能降低内部热应力，提高基板的热导率和可靠性等优势正在逐步发力碳化硅模组封装市场。. 本文我们将从各家企业产品说碳化硅模组封装材料大盘点：AMB陶瓷基板篇-电子 ...

在线留言

首页

Tel

联系我们

QQ